řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 268-8300
Výrobní číslo:: SIHH085N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

285 144,00 Kč

(bez DPH)

345 024,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 3 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	95,048 Kč	285 144,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 268-8300
Výrobní číslo:: SIHH085N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	30A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Řada	SIHH
	Typ balení	PowerPAK 8 x 8 l
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	0.085Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	184W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	63nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Délka	8mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Řada SIHH
	Typ balení PowerPAK 8 x 8 l
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 0.085Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 184W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Délka 8mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHH085N60EF-T1GE3

Země původu (Country of Origin):: TW

MOSFET řady Vishay SIHH, napětí zdroje vypouštění 650 V, vypouštěcí proud 30 A – SIHH085N60EF-T1GE3

Tento n-kanálový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení navržené pro použití v napájecích převodech a řídicích systémech v průmyslových a automatizačních prostředích. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro sestavy pro povrchovou montáž, kde je vyžadována robustní vysokonapěťová manipulace a efektivní spínání.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 650 V umožňující vysokonapěťové spínání • Nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A podporující provoz s trvalým zatížením • 0,085 Ω Rds(on) snižující ztráty při vedení v napájecích cestách • Typické náboje hradla 63 nC umožňující předvídatelný spínací výkon • Rozptýlení výkonu 184 W pro vysokou tepelnou zátěž • Maximální teplota spoje 150 °C pro použití při zvýšených teplotách

Aplikace

• Vhodné pro průmyslové měniče pohonu motoru vyžadující vysokonapěťová zařízení • Používá se pro napájecí zdroje v automatizačních zařízeních s vysokými požadavky na spínání • Ideální pro spínané měniče, které zvládají významné ztráty výkonu • Lze použít pro výměnu vysokonapěťových relé v elektrických ovládacích panelech

Jaký typ montáže vyžaduje na desce?

Dodává se v pouzdru PowerPAK 8x8 pro povrchovou montáž vyžadujícím kompatibilní pájecí vzory pro tepelné a elektrické připojení.

Jak omezení napětí hradla ovlivňuje řídicí obvod?

Hradlo musí být poháněno v rozsahu ±30 V, aby se zabránilo dielektrickému napětí hradla, takže ovladače hradla by měly poskytovat vhodné napěťové rozpětí a ochranu.

Jaké tepelné podmínky je třeba při návrhu vzít v úvahu?

Díky jmenovitému rozptylu 184 W a maximální provozní teplotě 150 °C je pro udržení bezpečných teplot spojení nezbytné tepelné řízení, jako je šíření tepla a odpovídající měď PCB.

Jakou složitost konfigurace kolíků by měli konstruktéři očekávat?

Zařízení má čtyři kolíky, které vyžadují správné přiřazení v uspořádání, aby bylo zajištěno připojení s nízkou indukčností pro funkce odtoku, zdroje a hradla.