řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8300
- Výrobní číslo:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus
236,63 Kč
(bez DPH)
286,32 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 268-8300
- Výrobní číslo:
- SIHH085N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Řada | SIHH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.085Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 184W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Řada SIHH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.085Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 184W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
MOSFET řady Vishay SIHH, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A – SIHH085N60EF-T1GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínací tranzistor navržený pro napájecí aplikace pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro systémy vyžadující robustní toleranci napětí odtoku-zdroje a značnou nepřetržitou manipulaci s proudem. Zařízení splňuje požadavky RoHS a je dodáváno v kompaktním pouzdru PowerPAK 8x8 pro nízkoprofilovou montáž na desku.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý proud/zdroj 650 V pro spínání při zvýšeném napětí
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• 0.085 Ω Rds(on) pro nižší ztráty při vedení
• Maximální rozptyl 184 W pro vysoký výkon
• Tolerance hradla ±30 V pro různé úrovně ovládání hradla
• Nabíjení hradla 63 nC umožňující předvídatelnou spínací energii
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 30 A pro udržitelnou manipulaci se zátěží
• 0.085 Ω Rds(on) pro nižší ztráty při vedení
• Maximální rozptyl 184 W pro vysoký výkon
• Tolerance hradla ±30 V pro různé úrovně ovládání hradla
• Nabíjení hradla 63 nC umožňující předvídatelnou spínací energii
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové napájecí zdroje a měniče
• Ideální pro přední spínací stupně motorového pohonu
• Používá se s měničem DC/DC vyžadujícím vysoký výkon
• Lze použít pro průmyslové spínané napájecí zdroje
• Vhodné pro telekomunikační a serverové moduly pro převod napájení
• Ideální pro přední spínací stupně motorového pohonu
• Používá se s měničem DC/DC vyžadujícím vysoký výkon
• Lze použít pro průmyslové spínané napájecí zdroje
• Vhodné pro telekomunikační a serverové moduly pro převod napájení
Jaké tepelné prostředí může tolerovat během provozu?
Zařízení je specifikováno pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje nasazení v náročných tepelných podmínkách v kombinaci s vhodným tepelným řízením.
Jak balíček podporuje implementaci na úrovni desky?
Formát PowerPAK 8x8 pro povrchovou montáž zajišťuje nízkoprofilové uspořádání se čtyřmi kolíky, které je vhodné pro automatizovanou montáž a efektivní tepelné vedení PCB.
Jaký je režim kanálu a jeho důsledky pro konstrukci obvodů?
Jedná se o N-kanálové zařízení s režimem vylepšení, takže k zapnutí vyžaduje kladný pohon hradlo-zdroj, což umožňuje jednoduché spínací topologie high-side nebo low-side s příslušnými ovladači hradla.
Existují environmentální nebo regulační hlediska?
Součást je v souladu s omezeními materiálů RoHS, což naznačuje, že je bez obsahu některých omezených látek pro návrhy založené na shodě.
Související odkazy
- řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60E-T1GE3 N-kanálový 48 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH186N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH125N60EF-T1GE3 N-kanálový 23 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení