řada: EF MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 200-6830
- Výrobní číslo:
- SIHH070N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 200-6830
- Výrobní číslo:
- SIHH070N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 36A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | EF | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 71mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 75nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 202W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8.1mm | |
| Šířka | 1.05mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 8.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 36A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada EF | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 71mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 75nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 202W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8.1mm | ||
Šířka 1.05mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 8.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Vishay SIHH070N60EF-T1GE3 je výkonový MOSFET řady EF s rychlou diodou karosérie.
Technologie série E 4. Generace
Nízká hodnota vyznamenání
Nízká efektivní kapacita
Snížené ztráty ve spínaní a vedení
Jmenovitá lavinová energie (UIS)
Související odkazy
- řada: SiH MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60E-T1GE3 N-kanálový 48 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH186N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH125N60EF-T1GE3 N-kanálový 23 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK185N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení