řada: SIHH MOSFET SIHH155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9915
- Výrobní číslo:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
189 585,00 Kč
(bez DPH)
229 398,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 3 000 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 63,195 Kč | 189 585,00 Kč |
*orientační cena
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus
129,43 Kč
(bez DPH)
156,61 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 279-9915
- Výrobní číslo:
- SIHH155N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 18A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SIHH | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.159Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 156W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 18A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SIHH | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.159Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 156W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIHH, maximální zdrojové napětí vypouštění 600 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 18 A – SIHH155N60EF-T1GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro napájecí spínání v sestavách pro povrchovou montáž. Kombinuje robustní jmenovité napětí se značnou schopností trvalého proudu a je určen pro obvody vyžadující efektivní spínání a tepelnou toleranci v širokém rozsahu prostředí.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 600 V umožňující vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 18 A podporující provoz při velkém zatížení
• Rds(on) 0,159 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 156 W usnadňuje manipulaci s vyšším výkonem
• Typické náboje hradla 38 nC pro řízené přepínací přechody
• Jmenovité napětí hradla-zdroje 30 V umožňuje standardní napětí hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 18 A podporující provoz při velkém zatížení
• Rds(on) 0,159 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 156 W usnadňuje manipulaci s vyšším výkonem
• Typické náboje hradla 38 nC pro řízené přepínací přechody
• Jmenovité napětí hradla-zdroje 30 V umožňuje standardní napětí hradla
Aplikace
• Vhodné pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Ideální pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Používá se se synchronním usměrňovacím a spínacím stupněm
• Lze použít pro obvody ovladačů LED s vysokým výkonem
• Používá se ve vysokonapěťových zkušebních a měřicích zařízeních
• Ideální pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Používá se se synchronním usměrňovacím a spínacím stupněm
• Lze použít pro obvody ovladačů LED s vysokým výkonem
• Používá se ve vysokonapěťových zkušebních a měřicích zařízeních
V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě fungovat?
Funguje v širokém rozsahu od -55 °C do 150 °C a umožňuje studený start a vysoké provozní teploty.
Jaký způsob balení a montáže používá pro montáž PCB?
Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž PowerPAK 8x8 navrženém pro nízkoprofilovou montáž na desku a efektivní tepelný kontakt.
Kolik kolíků je k dispozici pro připojení a ovládání?
K dispozici jsou čtyři kolíky pro implementaci připojení odvodu, zdroje a hradla ve standardních konfiguracích MOSFET.
Jaká je charakteristika přímého napětí zařízení relevantní pro vodivost vnitřní diody?
Vestavěná dioda vykazuje typické přímé napětí 1,2 V během vedení.
Související odkazy
- řada: SIHH MOSFET SIHH155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH150N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH186N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH125N60EF-T1GE3 N-kanálový 23 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení