řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 13 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový

Skladové číslo RS:: 268-8302
Výrobní číslo:: SIHH250N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 13 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

146 883,00 Kč

(bez DPH)

177 729,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. března 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	48,961 Kč	146 883,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 268-8302
Výrobní číslo:: SIHH250N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	13A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 8 x 8 l
	Řada	SIHH
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	0.25Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	23nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	89W
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Délka	8mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 8 x 8 l
	Řada SIHH
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 0.25Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 89W
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Délka 8mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHH250N60EF-T1GE3

Země původu (Country of Origin):: TW

MOSFET řady Vishay SIHH, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHH250N60EF-T1GE3

Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a převod výkonu v průmyslových elektrických systémech. Je určen pro sestavy pro povrchovou montáž, kde je vyžadována robustní manipulace s napětím a tepelná odolnost, a pracuje v širokém rozsahu teplot, aby vyhovoval náročným prostředím.

Charakteristiky a výhody:

• Kapacita vypouštění 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 0,25 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu • Typické náboje hradla 23 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání • Maximální tolerance ovladače hradla 30 V umožňuje standardní ovladače hradla • Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalé tepelné zatížení

Aplikace

• Vhodné pro vysokonapěťové spínání napájení v průmyslových pohonech • Ideální pro spínané napájecí zdroje vyžadující vysoké Vds • Používá se pro stupně motorových měničů s mírnými proudy • Lze použít pro moduly korekce účiníku v zařízeních závodů

Jaký formát montáže je vyžadován pro montáž obvodů?

Používá povrchové pouzdro PowerPAK 8x8 se čtyřmi kolíky určenými pro montáž na PCB s nízkou indukcí.

Jak se zařízení chová při extrémních teplotách?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v instalacích s širokou tepelnou variací.

Jaké je maximální napětí mezi odvodem a zdrojem?

Maximální jmenovité napětí odtoku-zdroje je 650 V, což definuje horní limit pro stabilní blokovací napětí.

Jaká omezení pohonu hradla by měla být dodržována?

Napětí hradla-zdroje nesmí překročit 30 V, aby se zabránilo poškození oxidu hradla.

Existují regulativní omezení materiálu?

Součást je uvedena jako v souladu s RoHS, což znamená omezení některých nebezpečných látek.