řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 268-8302
Výrobní číslo:: SIHH250N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Momentálně nedostupné

Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.

Skladové číslo RS:: 268-8302
Výrobní číslo:: SIHH250N60EF-T1GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	13A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	PowerPAK 8 x 8 l
	Řada	SIHH
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	0.25Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	89W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	23nC
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	30V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Délka	8mm
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení PowerPAK 8 x 8 l
	Řada SIHH
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 0.25Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 89W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Délka 8mm
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Datasheet - SIHH250N60EF-T1GE3

Země původu (Country of Origin):: TW

MOSFET řady Vishay SIHH, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHH250N60EF-T1GE3

Tento MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení určené pro aplikace s převodem výkonu a řízením, kde je vyžadována kompaktní povrchová montáž. Funguje jako tranzistor N-kanálu s režimem zesílení a je navržen tak, aby zvládl zvýšená napětí a proudy v náročných tepelných prostředích a zároveň splňoval omezení RoHS.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota 650 V umožňuje vysoké spínání napětí
• Stálý proud 13 A podporuje pohon značné zátěže
• Rds(on) 0.25 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalý tepelný výkon
• Typický náboj hradla 23 nC umožňuje přechod hradla s mírnou rychlostí
• Maximální napětí 30 V Vgs zajišťuje robustní rozpětí hradla

Aplikace

• Vhodné pro offline spínané napájecí zdroje
• Ideální pro vysokonapěťové stupně pohonu motoru
• Používá se s izolovanými ovladači hradla v napájecích měničích
• Lze použít pro rezonanční a měkké spínací topologie
• Vhodné pro průmyslové moduly řízení napájení

Jaké extrémní teploty může tolerovat při provozu?

Je specifikován pro provoz v širokém rozsahu teplot od -55 °C do 150 °C pro použití v náročných tepelných podmínkách.

Jaké pouzdro a způsob montáže jsou k dispozici pro kompaktní sestavy?

Dodává se v pouzdru PowerPAK 8x8 určeném pro montáž na povrch, která šetří plochu desky a zlepšuje tepelnou vodivost.

Jak přímé napětí zařízení ovlivňuje vedení mezi tělem a diodou?

Propojovací napětí 1,2 V udává typický pokles napětí přes vnitřní diodu během zpětné vodivosti, což ovlivňuje výpočty ztrát ve synchronním usměrňování nebo volnoběhových cestách.

Jaká konfigurace kolíků je k dispozici pro integraci obvodů?

Součást odhaluje čtyři kolíky, což usnadňuje samostatná připojení pro uspořádání zdroje, odtoku, brány a jazýčku nebo tepelné podložky během uspořádání PCB.