AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -90 A -40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 258-3868
Výrobní číslo:: IPD90P04P405ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -90 A -40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

50 092,50 Kč

(bez DPH)

60 612,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 500 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	20,037 Kč	50 092,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 258-3868
Výrobní číslo:: IPD90P04P405ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-90A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-40V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	4.7mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	118nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	125W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	-1V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -90A
	Maximální napětí na zdroji Vds -40V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 4.7mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 118nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 125W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf -1V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD90P04P405ATMA2

MOSFET Infineon řady IPD, maximální napětí drain-zdroj 40 V, maximální ztrátový výkon 125 W – IPD90P04P405ATMA2

Tento MOSFET je tranzistor s P-kanálem s režimem zesílení navržený pro spínání napájení pro povrchovou montáž v náročných prostředích. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro aplikace s vysokým proudem, kde je vyžadován nízký odpor při zapnutí a robustní manipulace s hradly. Zařízení splňuje normy spolehlivosti pro automobilový průmysl a environmentální směrnice pro použití v regulovaných odvětvích.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 4.7 mΩ snižuje ztráty při vedení a zvyšuje účinnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 90 A podporuje vysoké proudové spínací zátěže
• Typické náboje hradla 118 nC umožňuje předvídatelný výkon spínání
• Maximální tolerance hradlo-zdroj 20 V umožňuje flexibilní rozpětí ovládání hradla
• Rozptýlení výkonu 125 W umožňuje zvládnout vysoký výkon v kompaktních sestavách

Aplikace

• Vhodné pro vysokoproudé stejnosměrné stupně rozvodu napájení
• Ideální pro napájecí moduly v automobilovém průmyslu podle požadavků AEC-Q101
• Používá se s kompaktním chladičem v konstrukcích pro povrchovou montáž
• Lze použít pro synchronní spínání v výkonových měničích

Jaký rozsah teplot dokáže při provozu odolat?

Pracuje v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v širokém spektru tepelných prostředí.

Jak výběr balení ovlivňuje montáž?

Pouzdro TO-252 usnadňuje umístění pro povrchovou montáž a tepelnou vedení k přistávacím bodům PCB.

Jaké normy a směrnice splňuje?

Splňuje normu DIN IEC 68-1 a je v souladu se směrnicí RoHS, jak je uvedeno ve specifikacích.

Jaké vlastnosti kanálu určují chování spínání?

Zařízení je v režimu zesílení typu P, který definuje polaritu a chování vedení řízené hradlem.