AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový 50 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 217-2518
Výrobní číslo:: IPD50P04P413ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový 50 A 40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

27 322,50 Kč

(bez DPH)

33 060,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	10,929 Kč	27 322,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 217-2518
Výrobní číslo:: IPD50P04P413ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	40V
	Řada	IPD
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	12.6mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	-1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	39nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	58W
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A
	Maximální napětí na zdroji Vds 40V
	Řada IPD
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 12.6mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf -1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 39nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 58W
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P413ATMA2

MOSFET Infineon řady IPD, maximální zdrojové napětí vypouštění 40 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 50 A – IPD50P04P413ATMA2

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení s P-kanálem navržené pro řízení vysokých proudů v náročných prostředích, které poskytuje polovodičový spínač schopný zvládnout značné zatížení odvodňovacím zdrojem a zároveň tolerovat široké teplotní rozsahy.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 40 V umožňuje spínání při středním napětí
• Možnost nepřetržitého vypouštění 50 A podporuje vysoké proudové zatížení
• Rds(on) 12,6 mΩ minimalizuje ztráty při vedení pro efektivní provoz
• Maximální ztrátový výkon 58 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 39 nC zajišťuje předvídatelné požadavky na spínací energii
• Jmenovité napětí hradla 20 V umožňuje robustní rozpětí pohonu hradla

Aplikace

• Vhodné pro moduly rozvodu napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro spínání vysokoproudých zátěží v řídicích jednotkách
• Používá se se systémy řízení teploty pro provoz při zvýšených teplotách
• Lze použít pro ochranu baterie a řízení napájecí cesty
• Kompatibilní s montáží průchozím otvorem na napájecích sestavách

V jakém teplotním rozsahu může spolehlivě pracovat?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Jaký typ pouzdra a způsob montáže se používají?

Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro montáž do průchozího otvoru.

Jakým způsobem ovlivňuje hodnota náboje hradla konstrukci spínání?

Nabíjení hradla 39 nC označuje energii pohonu hradla a ovlivňuje velikost ovladače a spínací ztráty.

Je vhodný pro použití v automobilových elektronických systémech?

Splňuje normu AEC‐Q101 pro automobilová zařízení pro vhodnost v prostředí vozidel.

Jaké je maximální přípustné napětí mezi bránou a zdrojem?

Maximální jmenovité napětí VGS je 20 V.