AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -50 A -40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 258-3843
Výrobní číslo:: IPD50P04P4L11ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -50 A -40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

27 640,00 Kč

(bez DPH)

33 445,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 14. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	11,056 Kč	27 640,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 258-3843
Výrobní číslo:: IPD50P04P4L11ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-40V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	10.6mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	5V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	45nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	58W
	Přímé napětí Vf	-1V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -50A
	Maximální napětí na zdroji Vds -40V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 10.6mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 5V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 58W
	Přímé napětí Vf -1V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD50P04P4L11ATMA2

MOSFET Infineon řady IPD, napětí drain-zdroj 40 V, rozptyl výkonu 58 W – IPD50P04P4L11ATMA2

Tento MOSFET je výkonový tranzistor s P-kanálem určený pro vysokoproudové spínání v sestavách pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a je navržen pro prostředí s náročnými teplotami, díky čemuž je vhodný pro aplikace, kde záleží na tepelné odolnosti a kompaktním balení.

Charakteristiky a výhody:

• Nízké hodnoty Rds(on) 10.6 mΩ snižují ztráty při vedení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud -50 A podporuje vysoké proudové zatížení
• Nabíjení hradla 45 nC umožňuje předvídatelnou spínací energii
• Maximální hodnota Vgs 5 V zajišťuje bezpečné limity ovládání hradla
• Montáž na povrch TO-252 umožňuje kompaktní uspořádání desek

Aplikace

• Vhodné pro moduly rozvodu napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro vysokoproudé spínací obvody s polaritou
• Používá se s řízením teploty pro systémy s rozšířenou teplotou
• Lze použít pro řízení stejnosměrného napájení v elektronice vozidel

Jaké extrémní teploty odolává?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Jaké balení a typ montáže používá?

Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro povrchovou montáž.

Jak se zařízení chová v podmínkách vysokého výkonu?

Umožňuje rozptyl až 58 W, což umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem s odpovídajícím tepelným řízením.

Existují omezení pro napětí odvodu zdroje a ovládání hradla?

Zařízení specifikuje maximální napětí odtoku zdroje -40 V a maximální napětí zdroje hradla 5 V.