AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -73 A -40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 258-3861
Výrobní číslo:: IPD70P04P409ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -73 A -40 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

25 015,00 Kč

(bez DPH)

30 267,50 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 14. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	10,006 Kč	25 015,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 258-3861
Výrobní číslo:: IPD70P04P409ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	-73A
	Maximální napětí na zdroji Vds	-40V
	Typ balení	TO-252
	Řada	IPD
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	8.9mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	54nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	75W
	Přímé napětí Vf	-1V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -73A
	Maximální napětí na zdroji Vds -40V
	Typ balení TO-252
	Řada IPD
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 8.9mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 54nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 75W
	Přímé napětí Vf -1V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení DIN IEC 68-1, RoHS
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD70P04P409ATMA2

MOSFET Infineon řady IPD, ztrátový výkon 75 W – napětí drain-zdroj 40 V – IPD70P04P409ATMA2

Tento MOSFET je výkonový tranzistor s režimem zesílení P-kanálu navržený pro aplikace pro povrchovou montáž v náročných elektrických prostředích. Pracuje v širokém teplotním rozsahu od -55 °C do 175 °C a je vhodný tam, kde je vyžadována manipulace s vysokým proudem a kompaktní montáž. Zařízení splňuje směrnici RoHS a splňuje normu AEC-Q101 pro použití v elektronice automobilové třídy.

Charakteristiky a výhody:

• Rds(on) 8.9 mΩ snižuje ztráty při vedení a zvyšuje účinnost
• Nepřetržitý vypouštěcí proud -73 A podporuje vysoké nároky na proud
• Rozptýlení výkonu 75 W umožňuje udržitelnou manipulaci s výkonem
• Typický náboj hradla 54 nC umožňuje předvídatelné spínání
• Pouzdro TO‐252 usnadňuje kompaktní povrchovou montáž

Aplikace

• Vhodné pro spínání vysokoproudých zátěží v automobilových systémech
• Ideální pro ochranu proti obrácené polaritě v napájecích kolejích
• Používá se s obvody pro řízení napájení v elektronice vozidel
• Lze použít pro synchronní řízení ve stupních stejnosměrného napájení
• Vhodné pro tepelně stabilní konstrukce v širokém teplotním rozsahu

Jaké jmenovité napětí platí mezi vypouštěním a zdrojem?

Zařízení je určeno pro maximální napětí odvodu ke zdroji -40 V.

Jaké limity napětí hradla musí být dodržovány, aby se zabránilo poškození?

Napětí mezi bránou a zdrojem nesmí překročit 20 V, aby se zabránilo namáhání brány.

Jak balení ovlivňuje montáž PCB?

Tvarový činitel TO‐252 pro povrchovou montáž podporuje standardní pájecí procesy a kompaktní uspořádání desek.

Jaké tepelné extrémy může zařízení tolerovat během provozu?

Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C pro široký rozsah tepelné odolnosti.