AEC-Q101, řada: IPD MOSFET Typ P-kanálový -85 A -40 V Infineon, TO-252 Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

28 335,00 Kč

(bez DPH)

34 285,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +11,334 Kč28 335,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
258-3865
Výrobní číslo:
IPD85P04P407ATMA2
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

-85A

Maximální napětí na zdroji Vds

-40V

Řada

IPD

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

7.3mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

88W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

69nC

Přímé napětí Vf

-1V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS, DIN IEC 68-1

Automobilový standard

AEC-Q101

Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS-P2 nabízí nejnižší ztráty spínacího a vodivého výkonu pro nejvyšší tepelnou účinnost. Robustní pouzdra s vynikající kvalitou a spolehlivostí.

Nevyžaduje nabíjecí čerpadlo pro vysoký boční pohon

Jednoduchý obvod pohonu rozhraní

Nejvyšší proudová kapacita

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.