řada: HEXFET MOSFET IRLR6225TRPBF Typ N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-9462
- Výrobní číslo:
- IRLR6225TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
126,19 Kč
(bez DPH)
152,69 Kč
(s DPH)
Přidejte 70 jednotky/-ek pro dopravu zdarma
Poslední zásoby RS
- Posledních 130 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 25,238 Kč | 126,19 Kč |
| 50 - 120 | 22,478 Kč | 112,39 Kč |
| 125 - 245 | 20,946 Kč | 104,73 Kč |
| 250 - 495 | 13,882 Kč | 69,41 Kč |
| 500 + | 9,14 Kč | 45,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9462
- Výrobní číslo:
- IRLR6225TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 100A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 20V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 12 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 63W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 20V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 12 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 63W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRLR je 20V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D-Pak.
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 16 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 10 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 31 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 63 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR120NTRPBF Typ N-kanálový 9.4 A 100 V Infineon, TO-252