řada: HEXFET MOSFET IRFR3710ZTRPBF Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 257-5855
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-539
- Výrobní číslo:
- IRFR3710ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
337,40 Kč
(bez DPH)
408,25 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 400 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 67,48 Kč | 337,40 Kč |
| 25 - 45 | 60,762 Kč | 303,81 Kč |
| 50 - 120 | 56,612 Kč | 283,06 Kč |
| 125 - 245 | 52,66 Kč | 263,30 Kč |
| 250 + | 26,972 Kč | 134,86 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-5855
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-539
- Výrobní číslo:
- IRFR3710ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 56A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 69nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 10.41mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 2.39mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 56A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 69nC | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 10.41mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 2.39mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkého odporu při zapnutí na křemíkovou plochu. Dalšími vlastnostmi této konstrukce jsou provozní teplota 175 °C, vysoká spínací rychlost a lepší jmenovitá hodnota opakované laviny. Díky kombinaci těchto funkcí je tento design mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v široké škále aplikací.
Pokročilá procesní technologie
Mimořádně nízký odpor při zapnutí
Provozní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Povolená opakovaná lavinová vlna až do Tjmax
Několik možností pouzdra
Bezolovnatý
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR2405TRLPBF Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFR3710ZTRLPBF Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR2405TRPBF Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252