řada: HEXFET MOSFET IRFR2405TRLPBF N-kanálový 56 A 55 V Infineon, TO-252
- Skladové číslo RS:
- 258-3984
- Výrobní číslo:
- IRFR2405TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
290,23 Kč
(bez DPH)
351,18 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 950 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 58,046 Kč | 290,23 Kč |
| 50 - 120 | 53,402 Kč | 267,01 Kč |
| 125 - 245 | 50,042 Kč | 250,21 Kč |
| 250 - 495 | 46,486 Kč | 232,43 Kč |
| 500 + | 42,978 Kč | 214,89 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3984
- Výrobní číslo:
- IRFR2405TRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 56A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 16mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 56A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 16mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada výkonových tranzistorů MOSFET Infineon R využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvory s průmyslovými rozměry pro snadnou konstrukci.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Zvýšená odolnost
Široká dostupnost od distribučních partnerů
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 56 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 56 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR2405TRPBF N-kanálový 56 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR3710ZTRPBF N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 89 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 17 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 61 A 55 V Infineon, TO-252