řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

32 190,00 Kč

(bez DPH)

38 950,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2000 +16,095 Kč32 190,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
257-5544
Výrobní číslo:
IRFR3710ZTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

56A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Řada

HEXFET

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

18mΩ

Přímé napětí Vf

1.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

140W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

69nC

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.73mm

Výška

10.41mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Výkonový tranzistor MOSFET Infineon HEXFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkého odporu při zapnutí na křemíkovou plochu. Dalšími vlastnostmi této konstrukce jsou provozní teplota 175 °C, vysoká spínací rychlost a lepší jmenovitá hodnota opakované laviny. Díky kombinaci těchto funkcí je tento design mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v široké škále aplikací.

Pokročilá procesní technologie

Mimořádně nízký odpor při zapnutí

Provozní teplota 175 °C

Rychlé spínání

Povolená opakovaná lavinová vlna až do Tjmax

Několik možností pouzdra

Bezolovnatý

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.