řada: HEXFET MOSFET IRFR3710ZTRLPBF Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4457
- Výrobní číslo:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
497,955 Kč
(bez DPH)
602,52 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 220 jednotka(y) budou odesílané od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | 33,197 Kč | 497,96 Kč |
| 30 - 60 | 31,534 Kč | 473,01 Kč |
| 75 - 135 | 30,217 Kč | 453,26 Kč |
| 150 - 360 | 28,866 Kč | 432,99 Kč |
| 375 + | 26,89 Kč | 403,35 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4457
- Výrobní číslo:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 56A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 100nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 140W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 56A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 100nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 140W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento výkonový MOSFET HEXFET využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízkého odporu na křemíkové ploše. Dalšími vlastnostmi tohoto designu jsou provozní teplota 175°C, rychlá spínací rychlost a zlepšená opakovaná lavinová zatížitelnost.
Jeho design je mimořádně efektivní a spolehlivý
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR3710ZTRPBF Typ N-kanálový 56 A 100 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET IRFR2405TRLPBF Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRFR2405TRPBF Typ N-kanálový 56 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 119 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový