MPN

řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252

Name: řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 100 A 20 V Infineon, TO-252
Brand: Infineon
SKU: 257-9461
Availability: InStock

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

19 446,00 Kč

(bez DPH)

23 530,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za cívku*
2000 - 2000	9,723 Kč	19 446,00 Kč
4000 +	9,237 Kč	18 474,00 Kč

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	100A
	Maximální napětí na zdroji Vds	20V
	Typ balení	TO-252
	Řada	HEXFET
	Typ montáže	Povrch
	Maximální odpor zdroje Rds	4mΩ
	Maximální ztrátový výkon Pd	63W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	48nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	12V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	RoHS
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A
	Maximální napětí na zdroji Vds 20V
	Typ balení TO-252
	Řada HEXFET
	Typ montáže Povrch
	Maximální odpor zdroje Rds 4mΩ
	Maximální ztrátový výkon Pd 63W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 48nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 12V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení RoHS
	Automobilový standard Ne

Řada Infineon IRLR je 20V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D-Pak.

Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu

Možnost pájení vlnou

Související odkazy