řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 31 A 100 V Infineon, TO-252

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*

15 768,00 Kč

(bez DPH)

19 080,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 18. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2000 - 20007,884 Kč15 768,00 Kč
4000 +7,49 Kč14 980,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
257-9403
Výrobní číslo:
IRFR3410TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

31A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-252

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

39mΩ

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20 V

Přímé napětí Vf

1.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

37nC

Maximální ztrátový výkon Pd

110W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Řada Infineon IRFR je 100V jednoduchý nkanálový IR mosfet v pouzdru D Pak. Řada IR Mosfet výkonových Mosfet využívá osvědčené křemíkové procesy a nabízí návrhářům širokou škálu zařízení pro podporu různých aplikací, jako jsou stejnosměrné motory, měniče, SMPS, osvětlení, spínače zátěže a také aplikace napájené baterií. Zařízení jsou k dispozici v různých pouzdrech pro povrchovou montáž a průchozí otvor s průmyslovými stopami pro snadné navrhování.

Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA

Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů

Kvalifikace produktu podle normy JEDEC

Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz

Pouzdro pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu

Související odkazy