řada: HEXFET MOSFET IRF1405STRLPBF Typ N-kanálový 131 A 55 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 257-9276
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-516
- Výrobní číslo:
- IRF1405STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
272,69 Kč
(bez DPH)
329,955 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 675 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 54,538 Kč | 272,69 Kč |
| 25 - 45 | 49,104 Kč | 245,52 Kč |
| 50 - 120 | 46,338 Kč | 231,69 Kč |
| 125 - 245 | 43,076 Kč | 215,38 Kč |
| 250 + | 39,768 Kč | 198,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 257-9276
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-516
- Výrobní číslo:
- IRF1405STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 131A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5.3mΩ | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 170nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 200W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 131A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5.3mΩ | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 170nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 200W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řada Infineon IRF je 55V jednoduchý n-kanálový výkonový HEXFET mosfet v pouzdru D2 Pak.
Struktura planárních článků pro široký rozsah SOA
Optimalizováno pro nejširší dostupnost od distribučních partnerů
Kvalifikace produktu podle normy JEDEC
Křemík optimalizovaný pro aplikace spínání pod 100 kHz
Svazek napájecího zdroje pro povrchovou montáž podle průmyslového standardu
Možnost pájení vlnou
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 131 A 55 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRLZ44ZSTRLPBF Typ N-kanálový 51 A 55 V, TO-263 Infineon
- řada: HEXFET MOSFET IRFZ48NSTRLPBF Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon, TO-263
- AEC-Q101 TO-263
- AEC-Q101 TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový