AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET AUIRF4905STRL Typ P-kanálový -42 A -55 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 260-5059
- Výrobní číslo:
- AUIRF4905STRL
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
153,14 Kč
(bez DPH)
185,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 210 jednotka(y) budou odesílané od 11. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 153,14 Kč |
| 10 - 24 | 145,48 Kč |
| 25 - 49 | 142,52 Kč |
| 50 - 99 | 133,38 Kč |
| 100 + | 123,99 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-5059
- Výrobní číslo:
- AUIRF4905STRL
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 15.88mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 15.88mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon P Channel HEXFET Power MOSFET je speciálně navržen pro automobilové aplikace. Tento výkonový tranzistor MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení nízkého odporu při zapnutí na křemíkovou plochu.
Pokročilá procesní technologie
Mimořádně nízký odpor při zapnutí
Rychlé spínání
Povolená opakovaná lavinová vlna až do Tjmax
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z34NSTRLPBF Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905STRLPBF Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF5305STRLPBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový