AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -42 A -55 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 260-5058
- Výrobní číslo:
- AUIRF4905STRL
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (800 jednotky/-ek, v kotouči po 800 ks)*
62 044,00 Kč
(bez DPH)
75 073,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 + | 77,555 Kč | 62 044,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 260-5058
- Výrobní číslo:
- AUIRF4905STRL
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | -42A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | -55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 53nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 170W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 15.88mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 4.83mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id -42A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds -55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 53nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 170W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 15.88mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 4.83mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon P Channel HEXFET Power MOSFET je speciálně navržen pro automobilové aplikace. Tento výkonový tranzistor MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení nízkého odporu při zapnutí na křemíkovou plochu.
Pokročilá procesní technologie
Mimořádně nízký odpor při zapnutí
Rychlé spínání
Povolená opakovaná lavinová vlna až do Tjmax
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF9Z34NSTRLPBF Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF5305STRLPBF Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRF4905STRLPBF Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 131 A 55 V Infineon, TO-263