řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 55 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 214-4463
- Výrobní číslo:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (800 jednotky/-ek, v kotouči po 800 ks)*
11 918,40 Kč
(bez DPH)
14 421,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 06. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 14,898 Kč | 11 918,40 Kč |
| 1600 - 1600 | 14,153 Kč | 11 322,40 Kč |
| 2400 + | 13,259 Kč | 10 607,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-4463
- Výrobní číslo:
- IRFZ46ZSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 13.6mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 82W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 13.6mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 82W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tento výkonový MOSFET Infineon Strong je optimalizován pro nízkou RDS (ON) a vysokou proudovostí. Je ideální pro nízkofrekvenční aplikace vyžadující výkon a odolnost.
Je optimalizován pro synchronní rektifikaci
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET IRFZ46ZSTRLPBF N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRLZ44ZSTRLPBF N-kanálový 51 A 55 V, TO-263 Infineon
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 51 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFS52N15DTRLP N-kanálový 51 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 131 A 55 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET N-kanálový 64 A 55 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRL3705NSTRLPBF N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový