řada: HEXFET MOSFET IRFS52N15DTRLP Typ N-kanálový 51 A 150 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3120
- Výrobní číslo:
- IRFS52N15DTRLP
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
518,70 Kč
(bez DPH)
627,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 3 080 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 51,87 Kč | 518,70 Kč |
| 20 - 40 | 49,301 Kč | 493,01 Kč |
| 50 - 90 | 47,226 Kč | 472,26 Kč |
| 100 - 240 | 45,152 Kč | 451,52 Kč |
| 250 + | 42,039 Kč | 420,39 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3120
- Výrobní číslo:
- IRFS52N15DTRLP
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 32mΩ | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 89nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 230W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 9.65mm | |
| Délka | 10.67mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 32mΩ | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 89nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 230W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 9.65mm | ||
Délka 10.67mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon IRFS série single N-channel IR MOSFET. Tento MOSFET se používá ve vysokofrekvenčních převodnících DC-DC, plazmovém panelu displeje atd.
Bez obsahu olova
Výrazné snížení ztrát při spínání
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRFZ46ZSTRLPBF Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRLZ44ZSTRLPBF Typ N-kanálový 51 A 55 V, TO-263 Infineon
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 13 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 43 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF6215STRLPBF Typ P-kanálový 13 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET IRF3415STRLPBF Typ N-kanálový 43 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový