řada: HEXFET MOSFET IRF6215STRLPBF Typ P-kanálový 13 A 150 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 218-3098
- Výrobní číslo:
- IRF6215STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (15 jednotky/-ek, v balení po 15 ks)*
576,99 Kč
(bez DPH)
698,16 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 13. října 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 38,466 Kč | 576,99 Kč |
| 75 - 135 | 36,539 Kč | 548,09 Kč |
| 150 - 360 | 35,782 Kč | 536,73 Kč |
| 375 - 735 | 33,477 Kč | 502,16 Kč |
| 750 + | 31,188 Kč | 467,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 218-3098
- Výrobní číslo:
- IRF6215STRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 290mΩ | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | -1.6V | |
| Šířka | 9.65mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.67mm | |
| Výška | 4.83mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 290mΩ | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf -1.6V | ||
Šířka 9.65mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.67mm | ||
Výška 4.83mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon IRF série single P-kanál napájení MOSFET. Tento MOSFET využívá techniky zpracování Advanced k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku v každé oblasti. Je vhodný pro aplikace s vysokým proudem.
Rychlé spínání
P-kanál
Pracovní teplota 175 °C
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 13 A 150 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový -13 A -150 V Infineon, TO-252
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 19 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 14 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 70 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 38 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 23 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení