řada: HEXFET MOSFET IRFZ48NSTRLPBF Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon, TO-263
- Skladové číslo RS:
- 258-3990
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-547
- Výrobní číslo:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
75,83 Kč
(bez DPH)
91,754 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 518 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 37,915 Kč | 75,83 Kč |
| 20 - 48 | 34,085 Kč | 68,17 Kč |
| 50 - 98 | 31,865 Kč | 63,73 Kč |
| 100 - 198 | 29,885 Kč | 59,77 Kč |
| 200 + | 27,665 Kč | 55,33 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 258-3990
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-40-547
- Výrobní číslo:
- IRFZ48NSTRLPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 64A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.014Ω | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 130W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 81nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 64A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.014Ω | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 130W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 81nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonové tranzistory MOSFET Infineon HEXFET od společnosti International Rectifier využívají pokročilé techniky zpracování pro dosažení extrémně nízkého odporu při zapnutí na křemíkovou plochu. Tato výhoda v kombinaci s rychlou spínací rychlostí a robustní konstrukcí zařízení, pro kterou jsou výkonové tranzistory MOSFET HEXFET dobře známé, poskytuje návrhářům mimořádně účinné a spolehlivé zařízení pro použití v široké škále aplikací. D2Pak je napájecí pouzdro pro povrchovou montáž, které je schopno pojmout velikosti matric až do HEX-4. Poskytuje nejvyšší výkon a nejnižší možný odpor při zapnutí v jakémkoli existujícím pouzdru pro povrchovou montáž. Model D2Pak je vhodný pro aplikace s vysokým proudem díky nízkému vnitřnímu odporu připojení a může u typické aplikace pro povrchovou montáž rozptýlit až 2,0 W.
Pokročilá procesní technologie
Povrchová montáž
Nízkoprofilový průchozí otvor
Provozní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Plně lavinový
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 64 A 55 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 131 A 55 V Infineon, TO-263
- řada: HEXFET MOSFET IRLZ44ZSTRLPBF Typ N-kanálový 51 A 55 V, TO-263 Infineon
- řada: HEXFET MOSFET IRF1405STRLPBF Typ N-kanálový 131 A 55 V Infineon, TO-263
- AEC-Q101 TO-263
- AEC-Q101 TO-263
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 51 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 89 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový