MOSFET SISS42LDN-T1-GE3 Typ N-kanálový 11.3 A 100 V Vishay, PowerPAK
- Skladové číslo RS:
- 256-7435
- Výrobní číslo:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
214,89 Kč
(bez DPH)
260,015 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 970 jednotka(y) budou odesílané od 27. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 42,978 Kč | 214,89 Kč |
| 50 - 95 | 41,594 Kč | 207,97 Kč |
| 100 - 245 | 35,172 Kč | 175,86 Kč |
| 250 - 995 | 34,482 Kč | 172,41 Kč |
| 1000 + | 25,096 Kč | 125,48 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7435
- Výrobní číslo:
- SISS42LDN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | PowerPAK | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0149Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení PowerPAK | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0149Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový 100 V (D-S) mosfet společnosti Vishay Semiconductor pro aplikace s velmi nízkou hodnotou RDS x Qg (FOM), synchronní usměrňování, primární boční spínač, DC, měnič DC, solární mikroměnič, spínač pohonu motoru, spínač baterií a zátěže, průmyslové.
TrenchFET gen IV výkonový mosfet
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg (FOM)
Nastaveno pro nejnižší RDS x Qoss FOM
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 11.3 A 100 V Vishay, PowerPAK
- MOSFET SIRA04DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR424DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 30 A 20 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR698DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 7.5 A 100 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA10DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA12DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA18DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 33 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- řada: SIB MOSFET SIB4316EDK-T1-GE3 Typ N-kanálový 6 A 6 V Vishay, PowerPAK SC-75