MOSFET SIRA10DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

177,84 Kč

(bez DPH)

215,185 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 2 995 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4535,568 Kč177,84 Kč
50 - 9532,802 Kč164,01 Kč
100 - 24531,912 Kč159,56 Kč
250 - 99531,172 Kč155,86 Kč
1000 +25,688 Kč128,44 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
256-7429
Výrobní číslo:
SIRA10DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK SO-8

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

0.0095Ω

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Tranzistor Vishay Semiconductor Mosfet N-CH 30 V 35,9 A 8kolíkový powerPAK SO T, R. Jeho využití zahrnuje synchronní usměrňování, DC, DC a VRM s vysokou hustotou výkonu a integrované DC, DC.

TrenchFET Power Mosfet

100% testování Rg a UIS

Nízká hodnota Qg pro vysokou účinnost

Související odkazy