MOSFET SIRA18DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 33 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*

321,60 Kč

(bez DPH)

389,125 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 3 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
25 - 2512,864 Kč321,60 Kč
50 - 7512,587 Kč314,68 Kč
100 - 2259,603 Kč240,08 Kč
250 - 9759,416 Kč235,40 Kč
1000 +5,849 Kč146,23 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
256-7433
Výrobní číslo:
SIRA18DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

33A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK SO-8

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

0.0095Ω

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový model Vishay Semiconductor se používá pro stejnosměrné a stejnosměrné převody, ochranu baterií, spínání zátěže a měniče stejnosměrného a střídavého proudu.

TrenchFET gen IV výkonový mosfet

100% testování Rg a UIS

Nízká hodnota Qg pro vysokou účinnost

Související odkazy