MOSFET SIRA12DP-T1-GE3 N-kanálový 25 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8

Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
256-7430
Výrobní číslo:
SIRA12DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

25A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

PowerPAK SO-8

Typ montáže

Povrch

Maximální odpor zdroje Rds

0.0095Ω

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-kanálový modul Vishay Semiconductor iTime 30 V 25 A (Tc) 4,5 W (Ta), 31 W (Tc) pro povrchovou montáž je bezhalogenový podle definice IEC 61249-2-21 a jeho aplikace jsou DC, DC s vysokou výkonovou hustotou, synchronní usměrňování, VRM a integrované DC, DC.

TrenchFET gen IV výkonový mosfet

100% testování Rg a UIS

V souladu se směrnicí RoHS 2002/95/ES

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.