MOSFET SIRA12DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- Skladové číslo RS:
- 256-7431
- Výrobní číslo:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
161,54 Kč
(bez DPH)
195,465 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 980 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,308 Kč | 161,54 Kč |
| 50 - 95 | 28,948 Kč | 144,74 Kč |
| 100 - 245 | 22,576 Kč | 112,88 Kč |
| 250 - 995 | 22,23 Kč | 111,15 Kč |
| 1000 + | 17,092 Kč | 85,46 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7431
- Výrobní číslo:
- SIRA12DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 25A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0095Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 25A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0095Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový modul Vishay Semiconductor iTime 30 V 25 A (Tc) 4,5 W (Ta), 31 W (Tc) pro povrchovou montáž je bezhalogenový podle definice IEC 61249-2-21 a jeho aplikace jsou DC, DC s vysokou výkonovou hustotou, synchronní usměrňování, VRM a integrované DC, DC.
TrenchFET gen IV výkonový mosfet
100% testování Rg a UIS
V souladu se směrnicí RoHS 2002/95/ES
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 25 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR698DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 7.5 A 100 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA04DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA10DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA18DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 33 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR424DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 30 A 20 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SI7489DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 28 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- MOSFET Typ N-kanálový 33 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8