MOSFET SIRA04DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- Skladové číslo RS:
- 256-7427
- Výrobní číslo:
- SIRA04DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
207,48 Kč
(bez DPH)
251,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 860 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 41,496 Kč | 207,48 Kč |
| 50 - 95 | 39,124 Kč | 195,62 Kč |
| 100 - 245 | 30,232 Kč | 151,16 Kč |
| 250 - 995 | 29,59 Kč | 147,95 Kč |
| 1000 + | 21,34 Kč | 106,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 256-7427
- Výrobní číslo:
- SIRA04DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | PowerPAK SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0095Ω | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení PowerPAK SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0095Ω | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor Vishay Semiconductor Mosfet N-CH 30 V 35,9 A 8kolíkový powerPAK SO T, R. Jeho využití zahrnuje synchronní usměrňování, DC, DC a VRM s vysokou hustotou výkonu a integrované DC, DC.
TrenchFET Power Mosfet
100% testování Rg a UIS
Nízká hodnota Qg pro vysokou účinnost
Související odkazy
- MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR424DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 30 A 20 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIR698DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 7.5 A 100 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA10DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA12DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 25 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET SIRA18DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 33 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET Typ N-kanálový 33 A 30 V Vishay, PowerPAK SO-8
- MOSFET Typ N-kanálový 30 A 20 V Vishay, PowerPAK SO-8