AEC-Q101 MOSFET DMP65H20D0HSS-13 Typ P-kanálový 160 mA 12 V DiodesZetex, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 246-7535
- Výrobní číslo:
- DMP65H20D0HSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
106,85 Kč
(bez DPH)
129,29 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 3 960 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 10,685 Kč | 106,85 Kč |
| 50 - 90 | 10,399 Kč | 103,99 Kč |
| 100 - 490 | 10,127 Kč | 101,27 Kč |
| 500 + | 9,905 Kč | 99,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 246-7535
- Výrobní číslo:
- DMP65H20D0HSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 160mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 12V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8 V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.73W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.45mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.85 mm | |
| Délka | 4.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 160mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 12V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8 V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.73W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.45mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.85 mm | ||
Délka 4.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex vytváří režim zesílení P-kanálu MOSFET, který je navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu (RDS(ON)), a přitom udržuje vynikající spínací výkon, což z něj činí ideální pro aplikace řízení výkonu s vysokou účinností. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET je dodáván v BALENÍ SO-8. Nabízí rychlé přepínání a vysokou účinnost.
Maximální výpusť do zdrojového napětí je 600 v a maximální napětí od brány ke zdroji je ±30 v nabízí nízký odpor má vysokou BVDSS hodnocení pro výkonovou aplikaci nabízí nízkou vstupní kapacitu
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 160 mA 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4015SSSQ-13 Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMT68M8LSS-13 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMC3028LSDX-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- AEC-Q101 MOSFET DMHC3025LSD-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4