AEC-Q101 MOSFET DMHC3025LSD-13 Typ P, Typ N-kanálový 7.8 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4
- Skladové číslo RS:
- 823-3211
- Výrobní číslo:
- DMHC3025LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
167,17 Kč
(bez DPH)
202,28 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 270 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
- Plus 24 040 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 16,717 Kč | 167,17 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 823-3211
- Výrobní číslo:
- DMHC3025LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 7.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.5W | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Úplný můstek | |
| Normy/schválení | UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Délka | 4.95mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 3.95mm | |
| Počet prvků na čip | 4 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 7.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.5W | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Úplný můstek | ||
Normy/schválení UL 94V-0, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Délka 4.95mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 3.95mm | ||
Počet prvků na čip 4 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Režim doplňkového vylepšování MOSFET H-Bridge, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 4 Úplný můstek
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC6070LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4050SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení