MOSFET DMHC6070LSD-13 Typ N, Typ P-kanálový 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 246-7504
- Výrobní číslo:
- DMHC6070LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
243,22 Kč
(bez DPH)
294,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 2 340 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 24,322 Kč | 243,22 Kč |
| 50 - 90 | 23,786 Kč | 237,86 Kč |
| 100 - 240 | 18,896 Kč | 188,96 Kč |
| 250 - 990 | 18,451 Kč | 184,51 Kč |
| 1000 + | 16,747 Kč | 167,47 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 246-7504
- Výrobní číslo:
- DMHC6070LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.25Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.5nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | ±20 V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.25Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.5nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs ±20 V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
DiodesZetex vytváří novou generaci doplňkového MOSFET H-můstku, který je vybaven nízkým odporem dosažitelným při pohonu s nízkou branou. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET je dodáván v BALENÍ SO-8. Nabízí rychlé přepínání a nízkou vstupní kapacitu. Má pracovní teplotu v rozsahu -55°C až +150°C.
Maximální výpusť do zdrojového napětí je 60 v a maximální napětí mezi hradlem a zdrojem je ±20 v 2 N-kanál a 2 P-kanály v pouzdru SOIC nabízí nízký odpor
Související odkazy
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4050SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- Výkonový MOSFET DMP3085LSD-13 Typ P-kanálový 3.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2