Výkonový MOSFET DMP3085LSD-13 Typ P-kanálový 3.1 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 827-0490
- Výrobní číslo:
- DMP3085LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*
244,25 Kč
(bez DPH)
295,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 150 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 4,885 Kč | 244,25 Kč |
| 500 - 1200 | 2,88 Kč | 144,00 Kč |
| 1250 + | 2,174 Kč | 108,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 827-0490
- Výrobní číslo:
- DMP3085LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.1A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 95mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.2nC | |
| Přímé napětí Vf | -0.7V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.7W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Normy/schválení | MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | |
| Šířka | 3.95 mm | |
| Délka | 4.95mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.1A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 95mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.2nC | ||
Přímé napětí Vf -0.7V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.7W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Normy/schválení MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0, J-STD-020 | ||
Šířka 3.95 mm | ||
Délka 4.95mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 3.1 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC6070LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4050SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4015SSSQ-13 Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení