AEC-Q101, řada: DMG MOSFET DMG4413LSS-13 Typ P-kanálový 12 A 30 V DiodesZetex, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 751-4102
- Výrobní číslo:
- DMG4413LSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
139,22 Kč
(bez DPH)
168,46 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 1 550 jednotka(y) budou odesílané od 01. května 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 20 | 13,922 Kč | 139,22 Kč |
| 30 - 120 | 11,461 Kč | 114,61 Kč |
| 130 - 620 | 10,039 Kč | 100,39 Kč |
| 630 - 1240 | 8,833 Kč | 88,33 Kč |
| 1250 + | 6,936 Kč | 69,36 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 751-4102
- Výrobní číslo:
- DMG4413LSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 12A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Řada | DMG | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10.2mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 46nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 4.95mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Řada DMG | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10.2mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 46nC | ||
Přímé napětí Vf -1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 4.95mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
P-Channel MOSFET, 30 V, Diodes Inc
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4015SSSQ-13 Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 MOSFET DMP65H20D0HSS-13 Typ P-kanálový 160 mA 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
