AEC-Q101 MOSFET DMC3016LSD-13 Typ N, Typ P-kanálový 10.5 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 921-1010
- Výrobní číslo:
- DMC3016LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
232,92 Kč
(bez DPH)
281,84 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 3 860 jednotka(y) budou odesílané od 04. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 11,646 Kč | 232,92 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 921-1010
- Výrobní číslo:
- DMC3016LSD-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 20mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Délka | 4.95mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 20mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 11.3nC | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Délka 4.95mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- MOSFET DMHC4035LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4050SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMC4040SSDQ-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC4035LSDQ-13 Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET DMHC6070LSD-13 Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení
- MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení