AEC-Q101 MOSFET DMT68M8LSS-13 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 246-7558
- Výrobní číslo:
- DMT68M8LSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
267,65 Kč
(bez DPH)
323,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 2 000 jednotka(y) budou odesílané od 06. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 10,706 Kč | 267,65 Kč |
| 50 - 75 | 10,492 Kč | 262,30 Kč |
| 100 - 225 | 8,013 Kč | 200,33 Kč |
| 250 - 975 | 7,855 Kč | 196,38 Kč |
| 1000 + | 7,38 Kč | 184,50 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 246-7558
- Výrobní číslo:
- DMT68M8LSS-13
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 10.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 12V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 41mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 8 V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.73W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 1.45mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.85 mm | |
| Délka | 4.9mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 10.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 12V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 41mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 8 V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.73W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 1.45mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.85 mm | ||
Délka 4.9mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
DiodesZetex vytváří MOSFET s režimem zesílení kanálu N, který je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, takže je ideální pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET je dodáván v BALENÍ SO-8. Nabízí rychlé přepínání a vysokou účinnost. Jeho 100% upnuté indukční spínání zajišťuje spolehlivější a robustnější koncové použití. Má pracovní teplotu v rozsahu -55°C až +150°C.
Maximální výpusť do zdrojového napětí je 60 v maximální napětí od brány ke zdroji je ±20 v nabízí nízký odpor při zapnutí má nízké prahové napětí od brány nabízí ESD chráněnou hradlo
Související odkazy
- AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMT10H4M9SPSW-13 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMT10H4M9LPSW-13 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMT15H053SK3-13 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMTH47M2SK3-13 Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex, TO-252 Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMP2004UFG-13 Typ P-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMP3021SPSW-13 Typ P-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení