AEC-Q101 MOSFET Typ N-kanálový 10.7 A 12 V DiodesZetex, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

15 095,00 Kč

(bez DPH)

18 265,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +6,038 Kč15 095,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
246-6889
Výrobní číslo:
DMT68M8LSS-13
Výrobce:
DiodesZetex
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

DiodesZetex

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

10.7A

Maximální napětí na zdroji Vds

12V

Typ balení

SOIC

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

41mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

8 V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.73W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

4.9mm

Šířka

3.85 mm

Normy/schválení

No

Výška

1.45mm

Automobilový standard

AEC-Q101

DiodesZetex vytváří MOSFET s režimem zesílení kanálu N, který je navržen tak, aby minimalizoval odpor ve stavu (RDS(ON)), a přitom udržoval vynikající spínací výkon, takže je ideální pro aplikace řízení spotřeby s vysokou účinností. Je to zelené zařízení a, zcela olovo, halogen a antimon zdarma. Tento MOSFET je dodáván v BALENÍ SO-8. Nabízí rychlé přepínání a vysokou účinnost. Jeho 100% upnuté indukční spínání zajišťuje spolehlivější a robustnější koncové použití. Má pracovní teplotu v rozsahu -55°C až +150°C.

Maximální výpusť do zdrojového napětí je 60 v maximální napětí od brány ke zdroji je ±20 v nabízí nízký odpor při zapnutí má nízké prahové napětí od brány nabízí ESD chráněnou hradlo

Související odkazy