AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET IPD60N10S4L12ATMA1 Typ N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 222-4669
- Výrobní číslo:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
294,92 Kč
(bez DPH)
356,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 10 710 jednotka(y) budou odesílané od 07. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 29,492 Kč | 294,92 Kč |
| 50 - 90 | 28,035 Kč | 280,35 Kč |
| 100 - 240 | 26,849 Kč | 268,49 Kč |
| 250 - 490 | 25,688 Kč | 256,88 Kč |
| 500 + | 23,86 Kč | 238,60 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4669
- Výrobní číslo:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 12mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 16V | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 94W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 94W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Šířka 6.22mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Konstrukce tranzistorů MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, představuje ‚polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
MSL1 až 260°C Peak s certifikací reflow AEC Q101
OptMOS™ - výkonový MOSFET pro automobilové aplikace
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení