AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET IPD30N06S215ATMA2 Typ N-kanálový 30 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 222-4664
- Výrobní číslo:
- IPD30N06S215ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
386,80 Kč
(bez DPH)
468,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 410 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 38,68 Kč | 386,80 Kč |
| 100 - 240 | 36,778 Kč | 367,78 Kč |
| 250 - 490 | 35,148 Kč | 351,48 Kč |
| 500 - 990 | 33,641 Kč | 336,41 Kč |
| 1000 + | 31,32 Kč | 313,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4664
- Výrobní číslo:
- IPD30N06S215ATMA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 14.7mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 136W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 2.3mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 6.22mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 14.7mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 136W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 41nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 2.3mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 6.22mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Konstrukce tranzistorů MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, představuje ‚polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
MSL1 až 260°C Peak s certifikací reflow AEC Q101
OptMOS™ - výkonový MOSFET pro automobilové aplikace
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení