AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 MOSFET IPD50N06S4L12ATMA2 N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS:: 218-3045
Výrobní číslo:: IPD50N06S4L12ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS-T2 MOSFET IPD50N06S4L12ATMA2 N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

326,84 Kč

(bez DPH)

395,48 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

5 540 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
20 +	16,342 Kč	326,84 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 218-3045
Výrobní číslo:: IPD50N06S4L12ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	OptiMOS-T2
	Typ balení	TO-252
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	12mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	50W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	30nC
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	175°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	6.22mm
	Délka	6.73mm
	Výška	2.41mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada OptiMOS-T2
	Typ balení TO-252
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 50W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 30nC
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 175°C
	Normy/schválení No
	Šířka 6.22mm
	Délka 6.73mm
	Výška 2.41mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L12ATMA2

Tranzistor MOSFET Infineon řady OptiMOS-T2, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 50 A – IPD50N06S4L12ATMA2

Tento MOSFET je 60V N-kanálové vylepšovací zařízení navržené pro vysokoproudé spínání v náročných prostředích. Pracuje v širokém rozsahu okolních teplot a je určen pro sestavy pro povrchovou montáž, kde je vyžadována efektivní vodivost a kompaktní balení.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor při zapnutí 12 mΩ snižuje ztráty při vedení
• Maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 50 A podporuje těžké zátěže
• Možnost rozptylu výkonu 50 W zvládá tepelné namáhání
• Nabíjení hradla 30 nC umožňuje rychlejší přepínání
• Jmenovité hodnoty hradla 16 V umožňují robustní rozpětí pohonu hradla
• Certifikace AEC-Q101 zajišťuje vhodnost pro použití v automobilovém průmyslu

Aplikace

• Vhodné pro měniče DC/DC v automobilové elektronice
• Ideální pro spínání výkonu v pomocných trakčních systémech
• Používá se pro vysokoproudé stupně budiče motoru
• Lze použít pro správu baterií a ochranné obvody
• Vhodné pro napájecí moduly pro povrchovou montáž na kompaktních deskách

Jaké jsou limity napětí zařízení pro vypouštění a hradlo?

Odvod-zdroj odolává napětí až 60 V, zatímco brána-zdroj má jmenovité napětí 16 V.

Jak zařízení zvládne extrémní okolní teploty?

Je specifikován pro provoz při teplotách do -55 °C a až 175 °C v různých tepelných prostředích.

Jaké pouzdro a montážní formu používá pro montáž PCB?

Dodává se v pouzdru TO-252 určeném pro povrchovou montáž.

Který typ kanálu a režim určují jeho vodivé chování?

Používá strukturu N-kanálu konfigurovanou v režimu vylepšení pro řízené spínání.

Jaké úvahy o fyzickém půdorysu ovlivňují tepelné uspořádání?

Rozměry pouzdra jsou kompaktní s výškou 2,41 mm, délkou 6,73 mm a šířkou 6,22 mm pro snadné umístění desky.