AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 222-4665
Výrobní číslo:: IPD50N06S4L08ATMA2
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 50 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

29 950,00 Kč

(bez DPH)

36 250,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

10 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	11,98 Kč	29 950,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 222-4665
Výrobní číslo:: IPD50N06S4L08ATMA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	50A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	TO-252
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	7.8mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd	71W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	49nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Šířka	6.22mm
	Délka	6.5mm
	Výška	2.3mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení TO-252
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 7.8mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální ztrátový výkon Pd 71W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 49nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Šířka 6.22mm
	Délka 6.5mm
	Výška 2.3mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD50N06S4L08ATMA2

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 60 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 50 A – IPD50N06S4L08ATMA2

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení N-kanálu pro povrchovou montáž určené pro vysokoproudé spínání v náročných provozních podmínkách. Je určen pro aplikace, které vyžadují robustní vedení, zvládání středního napětí a provoz v širokém rozsahu teplot typických pro automobilová a průmyslová prostředí.

Charakteristiky a výhody:

• Nízký odpor vedení 7,8 mΩ pro nižší ztráty při vedení
• Vysoká schopnost nepřetržitého proudu 50 A pro spínání při vysoké zátěži
• Jmenovité napětí 60 V pro kompatibilitu se středním napětím
• Maximální ztrátový výkon 71 W pro zvýšenou tepelnou manipulaci
• Typický náboj hradla 49 nC umožňující předvídatelné spínání
• Tolerance napětí zdroje hradla až 16 V pro flexibilní úrovně pohonu

Aplikace

• Vhodné pro moduly rozvodu napájení v automobilovém průmyslu
• Ideální pro měniče DC/DC v dopravních systémech
• Používá se pro stupně pohonu motoru vyžadující vysoký proud
• Lze použít pro správu akumulátoru a řízení napájení
• Používá se při vysokovýkonovém spínání na sestavách pro povrchovou montáž

V jakém teplotním rozsahu může pracovat?

Podporuje nepřetržitý provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C.

Jaké pouzdro a typ montáže používá?

Součást je dodávána v pouzdru TO-252 pro povrchovou montáž.

Kolik elektrických připojení zajišťuje?

Nabízí tři kolíky pro připojení hradla, vypouštění a zdroje.

Jaká je charakteristika přímého napětí při vedení?

Zařízení má během vedení propustné napětí 1,3 V.

Jakou úroveň kvalifikace pro automobilový průmysl splňuje?

Splňuje normu AEC-Q101 pro automobilový průmysl.