AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 222-4667
Výrobní číslo:: IPD60N10S4L12ATMA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

26 380,00 Kč

(bez DPH)

31 920,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 04. ledna 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
2500 +	10,552 Kč	26 380,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 222-4667
Výrobní číslo:: IPD60N10S4L12ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	60A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TO-252
	Řada	OptiMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	12mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	38nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	94W
	Přímé napětí Vf	1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	16V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	6.5mm
	Výška	2.3mm
	Šířka	6.22mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TO-252
	Řada OptiMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 12mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 38nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 94W
	Přímé napětí Vf 1.3V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 16V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 6.5mm
	Výška 2.3mm
	Šířka 6.22mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard AEC-Q101

Datasheet - IPD60N10S4L12ATMA1

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 60 A – IPD60N10S4L12ATMA1

Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový spínač navržený pro náročné elektronické výkonové stupně a automobilová prostředí. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je určen pro sestavy pro povrchovou montáž vyžadující robustní spínací výkon a tepelnou manipulaci.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý vypouštěcí proud 100 V umožňující vysokonapěťové spínání
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 60 A podporující vysoké proudové zatížení
• Rds(on) 12 mΩ snižující ztráty při vedení v napájecích cestách
• Rozptýlení výkonu 94 W, zlepšující tepelnou odolnost při zátěži
• Typický náboj hradla 38 nC umožňující předvídatelnou spínací energii
• Maximální pohon hradla 16 V umožňující flexibilní volbu napětí hradla

Aplikace

• Vhodné pro automobilové napájecí měniče vyžadující shodu s normou AEC-Q101
• Ideální pro měniče DC/DC v dopravních a průmyslových systémech
• Používá se pro poloviční můstkové stupně motorového pohonu v subsystémech EV
• Lze použít pro synchronní usměrňování v napájecích zdrojích
• Používá se s kompaktními sestavami pro povrchovou montáž na tepelných PCB

Jaké extrémní teploty dokáže při provozu odolat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 175 °C, což umožňuje použití v prostředí s vysokými teplotami.

Jaké úvahy o balení a montáži platí pro řízení teploty?

Dodává se v pouzdru TO‐252 pro povrchovou montáž, který usnadňuje rozptyl tepla na desce a standardní připojení pájením přetavením.

Jaké limity napětí hradla by měly být dodržovány, aby se zabránilo namáhání zařízení?

Maximální napětí mezi bránou a zdrojem je 16 V a obvody pohonu brány by to neměly překročit, aby se zabránilo poškození brány.

Jaký režim a typ vedení kanálu používá?

Používá konfiguraci N-kanálu s režimem vylepšení, která je vhodná pro spínání na nízké a vysoké straně, pokud je vhodný ovladač hradla.