AEC-Q101, řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 60 A 100 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

26 380,00 Kč

(bez DPH)

31 920,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 10 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +10,552 Kč26 380,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
222-4667
Výrobní číslo:
IPD60N10S4L12ATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

TO-252

Řada

OptiMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

12mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.3V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

38nC

Maximální ztrátový výkon Pd

94W

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Výška

2.3mm

Délka

6.5mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Konstrukce tranzistorů MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, představuje ‚polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.

Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

MSL1 až 260°C Peak s certifikací reflow AEC Q101

OptMOS™ - výkonový MOSFET pro automobilové aplikace

Související odkazy