řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda N-kanálový 100 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 220-7432
Výrobní číslo:: IPL60R105P7AUMA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda N-kanálový 100 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

132 702,00 Kč

(bez DPH)

160 569,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 09. července 2027

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	44,234 Kč	132 702,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 220-7432
Výrobní číslo:: IPL60R105P7AUMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Typ produktu	MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	100A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Řada	CoolMOS P7
	Typ balení	VSON
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	5
	Maximální odpor zdroje Rds	105mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.9V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Minimální provozní teplota	-40°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	45nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	137W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	8.1mm
	Šířka	8.1mm
	Výška	1.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Typ produktu MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Řada CoolMOS P7
	Typ balení VSON
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 5
	Maximální odpor zdroje Rds 105mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.9V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Minimální provozní teplota -40°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 137W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 8.1mm
	Šířka 8.1mm
	Výška 1.1mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPL60R105P7AUMA1

MOSFET a dioda Infineon CoolMOS řady P7, maximální zdrojové vypouštěcí napětí 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A – IPL60R105P7AUMA1

Tento MOSFET a dioda je vysokonapěťové napájecí spínací zařízení navržené pro aplikace pro povrchovou montáž v kontextech převodu napájení a spínání. Kombinuje N-kanálový tranzistor s režimem zesílení s integrovanou diodou pro zvládnutí zvýšených odtokových napětí a významných nepřetržitých proudů při provozu v širokém rozsahu teplot.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 100 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Maximální hodnota Rds(on) 105 mΩ snižuje ztráty při vedení ve stupních výkonu
• Maximální ztrátový výkon 137 W umožňuje vyšší tepelnou zátěž
• Typický náboj hradla 45 nC při napětí Vgs 20 V vyvažuje požadavky na pohon
• 5kolíkové pouzdro VSON podporuje kompaktní integraci do povrchové montáže

Aplikace

• Vhodné pro spínání na primární straně SMPS ve vysokonapěťových měničích
• Ideální pro offline napájecí zdroje vyžadující vysokonapěťovou diodu MOSFET
• Používá se pro synchronní usměrňování v konstrukcích převodníků s vysokým výkonem
• Lze použít pro přední fáze průmyslových motorových pohonů
• Vhodné pro měniče DC/DC, které pracují s velkým stejnosměrným proudem

Jaký rozsah napětí pohonu hradla je povolen pro bezpečný provoz?

Zařízení přijímá napětí zdroje hradla až 20 V při práci jako zařízení s N-kanálem s režimem zesílení.

Jaké tepelné extrémy dokáže během provozu odolat?

Je určen pro nepřetržitý provoz v rozsahu -40 °C až 150 °C.

Jak balení ovlivňuje montáž a uspořádání?

5kolíkové pouzdro VSON pro povrchovou montáž umožňuje nízkoprofilovou montáž a snadné pájení PCB pro kompaktní sestavy.

Jaký typický rozpočet musí mít konstruktéři spínacího nabíjení v ovladačích hradla?

Očekávejte typický celkový náboj hradla kolem 45 nC při jmenovitém napětí hradla, což informuje o výpočtech proudu budiče a spínacích ztrát.