řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 220-7432
Výrobní číslo:: IPL60R105P7AUMA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

118 281,00 Kč

(bez DPH)

143 121,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 10. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	39,427 Kč	118 281,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 220-7432
Výrobní číslo:: IPL60R105P7AUMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	100A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	VSON
	Řada	CoolMOS P7
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	5
	Maximální odpor zdroje Rds	105mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	0.9V
	Maximální ztrátový výkon Pd	137W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	45nC
	Minimální provozní teplota	-40°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.1mm
	Šířka	8.1 mm
	Normy/schválení	No
	Délka	8.1mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 100A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení VSON
	Řada CoolMOS P7
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 5
	Maximální odpor zdroje Rds 105mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 0.9V
	Maximální ztrátový výkon Pd 137W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 45nC
	Minimální provozní teplota -40°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.1mm
	Šířka 8.1 mm
	Normy/schválení No
	Délka 8.1mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPL60R105P7AUMA1

Infineon 600V Cool MOS P7 super junkce (SJ) MOSFET je nástupcem řady 600V Cool MOS P6. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší ve své třídě R onxA a neodmyslitelně nízký náboj kulisy (Q G) platformy Cool MOS 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.

600V P7 umožňuje vynikající FOM RDS(on)xEoss a RDS(on)xQG

Odolnost proti elektrostatickému výboji ≥ 2 kV (HBM třída 2)

Integrovaný rezistor RG kulisy

Odolná dioda

Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží

K dispozici jsou standardní i průmyslové díly

Vynikající FMS RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss umožňují vyšší účinnost

Snadné použití ve výrobních prostředích zastavením výskytu poruch ESD

Integrovaný obvod RG snižuje citlivost oscilace MOSFET

MOSFET je vhodný jak pro pevné, tak pro rezonanční spínací topologie Například PFC a LLC

Vynikající odolnost při těžké komutaci tělní diody vidět V topologii LLC

Vhodné pro širokou škálu koncových aplikací a výstupů pravomoci

Dostupné díly vhodné pro spotřebitelské a průmyslové aplikace

řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy