řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 220-7465
Výrobní číslo:: IPZA60R060P7XKSA1
Výrobce:: Infineon

řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 258,82 Kč

(bez DPH)

2 733,18 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 06. srpna 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za tubu*
30 - 30	75,294 Kč	2 258,82 Kč
60 - 120	72,536 Kč	2 176,08 Kč
150 +	70,733 Kč	2 121,99 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 220-7465
Výrobní číslo:: IPZA60R060P7XKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	151A
	Maximální napětí na zdroji Vds	650V
	Typ balení	TO-247
	Řada	CoolMOS P7
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	60mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	164W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20 V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	67nC
	Přímé napětí Vf	0.9V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	15.9mm
	Výška	21.1mm
	Šířka	5.1 mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET + Dioda
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 151A
	Maximální napětí na zdroji Vds 650V
	Typ balení TO-247
	Řada CoolMOS P7
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 60mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 164W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 67nC
	Přímé napětí Vf 0.9V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 15.9mm
	Výška 21.1mm
	Šířka 5.1 mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet - IPZA60R060P7XKSA1

Infineon 600V Cool MOS P7 super křižovatka MOSFET je nástupcem 600V Cool MOS P6 série. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší ve své třídě RonxA a přirozeně nízké nabití hradla (QG) platformy Cool MOS 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.

600V P7 umožňuje vynikající FOM RDS(on)xEoss a RDS(on)xQG

Odolnost proti elektrostatickému výboji ≥ 2 kV (HBM třída 2)

Integrovaný rezistor RG kulisy

Odolná dioda

Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží

K dispozici jsou standardní i průmyslové díly

Vynikající FMS RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss umožňují vyšší účinnost

Snadné použití ve výrobních prostředích zastavením výskytu poruch ESD

Integrovaný obvod RG snižuje citlivost oscilace MOSFET

MOSFET je vhodný jak pro pevné, tak pro rezonanční spínací topologie Například PFC a LLC

Vynikající odolnost při těžké komutaci tělní diody vidět V topologii LLC

Vhodné pro širokou škálu koncových aplikací a výstupů pravomoci

Dostupné díly vhodné pro spotřebitelské a průmyslové aplikace

řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Související odkazy