řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 206 A 650 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 219-6022
- Výrobní číslo:
- IPW60R045P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
4 608,78 Kč
(bez DPH)
5 576,61 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- Plus 300 jednotka(y) budou odesílané od 05. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 153,626 Kč | 4 608,78 Kč |
| 60 - 120 | 145,944 Kč | 4 378,32 Kč |
| 150 + | 139,802 Kč | 4 194,06 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 219-6022
- Výrobní číslo:
- IPW60R045P7XKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 206A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 45mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 201W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20 V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 90nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 21.1 mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 16.13mm | |
| Výška | 5.21mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 206A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 45mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 201W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20 V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 90nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 21.1 mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 16.13mm | ||
Výška 5.21mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Superjunction MOSFET Infineon 600V CoolMOS™ P7 je nástupcem řady 600V CoolMOS™ P6. Nadále vyvažuje potřebu vysoké účinnosti a snadné použití při procesu návrhu. Nejlepší RonxA ve své třídě a přirozeně nízké nabití hradla (QG) platformy CoolMOS™ 7. Generace zajišťují vysokou účinnost.
Odolnost proti elektrostatickému výboji ≥ 2 kV (HBM třída 2)
Integrovaný rezistor RG kulisy
Odolná dioda
Široké portfolio v baleních s průchozím otvorem a povrchovou montáží
K dispozici jsou standardní i průmyslové díly
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPW60R045P7XKSA1 Typ N-kanálový 206 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 386 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPW60R024P7XKSA1 Typ N-kanálový 386 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET IPA60R360P7XKSA1 Typ N-kanálový 26 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPZA60R060P7XKSA1 Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET Typ N-kanálový 18 A 600 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení