řada: CoolMOS MOSFET + Dioda IPL60R095CFD7AUMA1 N-kanálový 97 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 220-7431
- Výrobní číslo:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
256,14 Kč
(bez DPH)
309,92 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 08. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 128,07 Kč | 256,14 Kč |
| 10 - 18 | 103,615 Kč | 207,23 Kč |
| 20 - 48 | 97,565 Kč | 195,13 Kč |
| 50 - 98 | 90,895 Kč | 181,79 Kč |
| 100 + | 84,60 Kč | 169,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7431
- Výrobní číslo:
- IPL60R095CFD7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 97A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ balení | VSON | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 5 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 65mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 147W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 8.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 8.1mm | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 97A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ balení VSON | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 5 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 65mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 147W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 8.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 8.1mm | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 600V Cool MOS CFD7 je nejnovější vysokonapěťová technologie superjunction MOSFET společnosti Infineon s integrovanou diodou Fast body, která doplňuje řadu Cool MOS 7. COOL MOS CFD7 přichází se sníženým poplatkem za bránu (QG), lepším chováním při vypínání a zpětným vymáháním (Qrr) až o 69 % nižším v porovnání s konkurencí, stejně jako s nejnižším časem zpětného zotavení (trr) na trhu.
Ultrarychlá dioda těla
Nejlepší poplatek za zpětné zotavení ve své třídě (Qrr)
Vylepšená zpětná dioda dv/dt a dif/dt robustnost
Nejnižší FOM RDS (ON) x QG a Eoss
Nejlepší kombinace RDS(ON)/balíčku ve své třídě
Špičková odolnost při tvrdé komutaci
Nejvyšší spolehlivost pro rezonanční topologie
Nejvyšší efektivita díky mimořádně snadnému použití a výkonu
Umožňuje řešení s vyšší hustotou výkonu
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 97 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPL60R105P7AUMA1 Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPL60R065P7AUMA1 Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET IPL60R185C7AUMA1 Typ N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení