řada: CoolMOS MOSFET IPL60R185C7AUMA1 Typ N-kanálový 13 A 650 V Infineon, VSON, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 222-4683
- Výrobní číslo:
- IPL60R185C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
473,99 Kč
(bez DPH)
573,53 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 94,798 Kč | 473,99 Kč |
| 25 - 45 | 82,448 Kč | 412,24 Kč |
| 50 - 120 | 76,768 Kč | 383,84 Kč |
| 125 - 245 | 71,976 Kč | 359,88 Kč |
| 250 + | 66,344 Kč | 331,72 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 222-4683
- Výrobní číslo:
- IPL60R185C7AUMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | VSON | |
| Řada | CoolMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 185mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 24nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 77W | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení VSON | ||
Řada CoolMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 185mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 24nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 77W | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Konstrukce tranzistorů MOSFET Infineon, známé také jako tranzistory MOSFET, představuje ‚polovodičové tranzistory s polovodičovým efektem na bázi oxidu kovu’. MOSFETy jsou tranzistorová zařízení, která jsou řízena kondenzátorem. „Field-Effect“ znamená, že jsou řízeny napětím. Cílem MOSFET je řídit tok proudu procházejícího ze zdroje do svorek pro vypouštění.
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)
MSL1 až 260°C Peak s certifikací reflow AEC Q101
OptMOS™ - výkonový MOSFET pro automobilové aplikace
Související odkazy
- řada: CoolMOS MOSFET Typ N-kanálový 13 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 97 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET Typ N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS C7 MOSFET IPL65R130C7AUMA1 Typ N-kanálový 15 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS MOSFET + Dioda IPL60R095CFD7AUMA1 Typ N-kanálový 97 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPL60R105P7AUMA1 Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový