řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPB65R190CFDAATMA1 Typ N-kanálový 57.2 A 650 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

166,48 Kč

(bez DPH)

201,44 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 826 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 883,24 Kč166,48 Kč
10 - 1874,965 Kč149,93 Kč
20 - 4869,90 Kč139,80 Kč
50 - 9865,085 Kč130,17 Kč
100 +60,76 Kč121,52 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
220-7393
Výrobní číslo:
IPB65R190CFDAATMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET + Dioda

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

57.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Řada

CoolMOS P7

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

190mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Infineon 650V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET je druhou generací předních automobilových tranzistorů MOSFET Cool MOS s vysokým napětím. Kromě známých vlastností vysoké kvality a spolehlivosti vyžadovaných automobilovým průmyslem nabízí řada 650V Cool MOS CFDA také integrovanou diodu Fast body.

První 650 v technologie odpovídající automobilovému průmyslu s integrovanou diodou Fast body na trhu

Omezené napěťové překmitu během tvrdé komutace – samoomezující di/dt a dv/dt

Hodnota nízkého nabití hradla Q g

Nízká Q rr při opakované komutaci na tělové diodě & Nízká Q OSS

Zkrácení doby zapnutí a otočení zpoždění

Zvýšená bezpečnostní rezerva v důsledku vyššího poruchového napětí

Snížený vzhled EMI a snadné navržení

Lepší účinnost při nízké zátěži

Nižší ztráty při spínání

Je možná vyšší spínací frekvence a/nebo vyšší pracovní cyklus

Vysoká kvalita a spolehlivost

Související odkazy