řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPB65R190CFDAATMA1 N-kanálový 57.2 A 650 V Infineon, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 220-7393
- Výrobní číslo:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
207,48 Kč
(bez DPH)
251,06 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 826 jednotka(y) budou odesílané od 09. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 103,74 Kč | 207,48 Kč |
| 10 - 18 | 93,365 Kč | 186,73 Kč |
| 20 - 48 | 87,19 Kč | 174,38 Kč |
| 50 - 98 | 81,015 Kč | 162,03 Kč |
| 100 + | 75,705 Kč | 151,41 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 220-7393
- Výrobní číslo:
- IPB65R190CFDAATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET + Dioda | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 57.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Řada | CoolMOS P7 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 190mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET + Dioda | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 57.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-263 | ||
Řada CoolMOS P7 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 190mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon 650V Cool MOS CFDA Super junction (SJ) MOSFET je druhou generací předních automobilových tranzistorů MOSFET Cool MOS s vysokým napětím. Kromě známých vlastností vysoké kvality a spolehlivosti vyžadovaných automobilovým průmyslem nabízí řada 650V Cool MOS CFDA také integrovanou diodu Fast body.
První 650 v technologie odpovídající automobilovému průmyslu s integrovanou diodou Fast body na trhu
Omezené napěťové překmitu během tvrdé komutace – samoomezující di/dt a dv/dt
Hodnota nízkého nabití hradla Q g
Nízká Q rr při opakované komutaci na tělové diodě & Nízká Q OSS
Zkrácení doby zapnutí a otočení zpoždění
Zvýšená bezpečnostní rezerva v důsledku vyššího poruchového napětí
Snížený vzhled EMI a snadné navržení
Lepší účinnost při nízké zátěži
Nižší ztráty při spínání
Je možná vyšší spínací frekvence a/nebo vyšší pracovní cyklus
Vysoká kvalita a spolehlivost
Související odkazy
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 57.2 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPB60R060P7ATMA1 Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPA60R120P7XKSA1 Typ N-kanálový 78 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPZA60R060P7XKSA1 Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPL60R105P7AUMA1 Typ N-kanálový 100 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda IPL60R065P7AUMA1 Typ N-kanálový 151 A 650 V Infineon počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: CoolMOS P7 MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 78 A 650 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení