řada: HEXFET MOSFET IRFR2905ZTRPBF Typ N-kanálový 59 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 217-2620
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-420
- Výrobní číslo:
- IRFR2905ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
412,00 Kč
(bez DPH)
498,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 1 540 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 20,60 Kč | 412,00 Kč |
| 100 - 180 | 19,575 Kč | 391,50 Kč |
| 200 - 480 | 18,735 Kč | 374,70 Kč |
| 500 - 980 | 17,92 Kč | 358,40 Kč |
| 1000 + | 16,66 Kč | 333,20 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 217-2620
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-39-420
- Výrobní číslo:
- IRFR2905ZTRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 59A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 55V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 14.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 29nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.39mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 59A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 55V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení TO-252 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 14.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 29nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.39mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon HEXFET® využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku. Mezi další vlastnosti tohoto provedení patří pracovní teplota přechodu 175 °C, vysoká rychlost spínání a lepší odolnost vůči opakovaným průrazům. Tyto funkce se kombinují, aby byl tento design mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v široké škále aplikací.
Špičková technologie zpracování
Obzvláště nízký zapínací odpor
Pracovní teplota 175 °C
Rychlé spínání
Možnost opakovaného průrazu až do hodnoty Tjmax
Bez olova
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 59 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 17 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 42 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 11 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 60 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 31 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 18 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 28 A 55 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení