řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 59 A 55 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
Skladové číslo RS:
217-2619
Výrobní číslo:
IRFR2905ZTRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

59A

Maximální napětí na zdroji Vds

55V

Typ balení

TO-252

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

14.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.3V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

29nC

Maximální ztrátový výkon Pd

110W

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

6.73mm

Výška

2.39mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Výkonový MOSFET Infineon HEXFET® využívá nejnovější techniky zpracování k dosažení extrémně nízké odolnosti vůči křemíku. Mezi další vlastnosti tohoto provedení patří pracovní teplota přechodu 175 °C, vysoká rychlost spínání a lepší odolnost vůči opakovaným průrazům. Tyto funkce se kombinují, aby byl tento design mimořádně účinným a spolehlivým zařízením pro použití v široké škále aplikací.

Špičková technologie zpracování

Obzvláště nízký zapínací odpor

Pracovní teplota 175 °C

Rychlé spínání

Možnost opakovaného průrazu až do hodnoty Tjmax

Bez olova

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.